怎样理智看待麒麟960和骁龙835

一、怎样理智看待麒麟960和骁龙835

方法：用户需要根据自己的实际需求，比如是使用手机通常是为了打游戏或者是只是一般的听音乐和看视频之类的操作，两者是完全不同的需求。 

骁龙835注重续航，能够维持较长的时间，而麒麟960这比较适用于游戏机，打游戏不容易卡顿是他最大的特点，因此用户需要理智的看待两款CPU，选择最适合自己的。

骁龙835：

骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。

高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。

麒麟960：

麒麟960（kirin 960）是海思半导体有限公司推出的新一代移动设备芯片，麒麟960首次配备ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心为A53，组成四大四小的big.LITTLE组合，GPU为Mali G71 MP8。

与上一代相比，CPU能效提升15%（单核10%、多核18%），同时，图形处理性能提升180%，GPU能效提升20%，存储方面支持LPDDR4和UFS2.1，号称DDR性能提升90%，文件加密读写性能提升150%。

2016年10月19日，华为麒麟芯片在上海举行秋季媒体沟通会上正式亮相，麒麟960以打造更加快速、流畅、安全的安卓体验为目标，在性能、续航、游戏、拍照、通信、安全等方面为用户带来更好的体验。

二、emmc.5.1和ddr3哪个好

eMMC和DDR有如下几种区别：

1、eMMC是非易失性存储器，关电以后，内容是可以存储的，DDR是易失性存储器，关电以后，数据内容是丢失的；

2、eMMC的容量比DDR都大3-4倍，因为被存放的数据是积累下来的，而DDR是需要用的时候才去取数的存储介质，不需要那么大。

3、DDR内存的目的就是加快系统的运行速度，加载文件更快，eMMC就是去存储更多的信息

4、两个都好，运用的地方不一样而已。

三、emmc,什么是emmc

eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。 EMMC的结构 eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器 所有在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。 EMMC的应用 eMMC现在的目标应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。今年已大量生产的一些热门产品，如Palm Pre、Amazon Kindle II和Flip MinoHD，便采用了eMMC。为了确认这些产品究竟使用了哪类存储器，iSuppli利用拆机分析业务对它们进行了拆解，发现eMMC身在其中。 EMMC的发展 eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3世代发展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即将问世，eMMC下一个世代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒。 未来其他像更进一步的MCP产品也会把Mobile RAM一起包进去，因此要打内嵌式内存之战，也是要看各家内存资源和技术的齐全度。 以台厂布局来看，目前都是NAND Flash设计公司孤军奋斗，像是群联与内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)合作，双方更将合资成立新公司，擎泰与美光合作eMMC产品等。 但以台系内存模块厂而言，目前还在寻找商机的切入点，除非找到愿意全面支持的内存大厂，否则未来可能只能做大陆山寨手机市场。 eMMC目前是最当红的手机解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，当手机客户在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。 而每1次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，逐渐风行起来。 eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。 手机记忆体包含PSDRAM、Low Power DDR1、Low Power DDR2、SB(Small Block)SLC NAND Flash、LB(Large Block)SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、micronSD、eMMC和NOR Flash晶片。目前產品线最齐全者為南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)，再者是美光(Micron)和海力士(Hynix)，其中NOR Flash功能由於逐渐被NAND Flash取代，因此单纯生產NAND Flash记忆体的业者，未来在手机记忆体市场上可能会有逐渐被边缘化的趋势。